Flash память нового поколения

Интересные новости и события в мире науки и техники. Публикуем здесь и обговариваем.
Ответить
phoenix
Супермодератор
Супермодератор
Сообщения: 374
Зарегистрирован: 25 янв 2012, 01:09

Flash память нового поколения

Сообщение phoenix »

Группа южнокорейских ученых разработала абсолютно новую полупроводниковую память. Эта память работает в тысячу раз быстрее обычных запоминающих устройств в USB-флеш-накопителях и при этом потребляет меньше энергии. Например, для того чтобы переписать фильм объемом один гигабайт с компьютера на USB-флеш-накопитель потребуется менее секунды.
Ведущий специалист физического факультета Университета Конгук профессор Ли Сан Уком рассказывает:

Скорость обычного устройства памяти измеряется в сотнях микросекунд. При удалении данных такое устройство работает даже медленнее. Наше устройство работает со скоростью около 100 наносекунд, что составляет около одной миллионной доли секунды, при записи и удалении информации. Это почти в тысячу раз быстрее, чем существующие USB-флеш-накопители. В существующих устройствах памяти есть транзисторы, установленные около так называемого "плавающего” канала передачи. Наше устройство очень похоже на обычный USB-флеш-накопитель, однако транзистор состоит не из силикона, а из углеродной нано-трубки. Наше устройство также оснащено "плавающим” пропускным каналом. В обычных устройствах электричество проходит через слой изолятора и во время этого процесса происходит запись данных. Пропускание тока в обратном направлении стирает запись. В новом устройстве процесс записи данных не требует пропускания тока через слой изолятора, так как специальный переключатель обеспечивает прямой контакт с пропускным каналом. Такое устройство позволяет экономить время и энергию, так как электрический заряд передается напрямую."

Профессор Ли Сан Ук разработал новую концепцию устройства электронной памяти. Результаты его исследований были опубликованы в ведущем научном журнале Nature Communication. USB-флеш-накопители способны сохранять данные даже при отсутствии электричества. Сохранённые данные также легко передаются на другие устройства.

USB-флеш-накопители сохраняют и уничтожают данные с помощью накопления и снятия электрических зарядов в ячейках полупроводников, состоящих из плавающих пропускных каналов. Электрические заряды представляют собой двоичную систему записи информации – наличие заряда соответствует единице, и отсутствие – нулю.

Существующая система записи информации медленная и требует много энергии, так как заряды проходят через специальный слой изолятора под большим напряжением. Профессор Ли Сан Ук изменил способ передачи электрического заряда. Заряд теперь передается с помощью специальной нано-пластинки из металла.
Вложения
Новая полупроводниковая память
Новая полупроводниковая память
toshiba-chips.jpg (36.19 КБ) 6045 просмотров

Ответить

Вернуться в «Новости науки и техники»